На конференції iedm, що проходила нещодавно в сан-франциско, представники компаній ibm і samsung оголосили про успішну розробку нового типатранзисторів, які будуть розташовуватися на поверхні чіпа у вертикальному положенні. Відзначимо, що на чіпах всіх сучасних процесорів і систем-на-чіпі транзистори розташовуються на поверхні в горизонтальній площині і в цій же площині також протікають електричні струми, від однієї ділянки транзистора до іншого. На відміну від цього, компоненти транзисторів vtfet (vertical transport field effect transistors) розташовуються перпендикулярно один до одного, а електричний струм через транзистор тече у вертикальному напрямку.
За представленими даними, транзистори vtfet мають дві переваги в порівнянні з традиційними транзисторами. По-перше, за їх допомогою можна буде продовжити збереження закону гордона мура при переході насубнанометрові технології виробництва напівпровідникових чіпів. І по-друге, деякі особливості конструкції нових транзисторів дозволять кардинально скоротити кількість витраченої даремно енергії, яка зазвичай перетворюється в паразитне тепло.
Згідно з попередніми оцінками процесори, побудовані на базі vtfet транзисторів, будуть в два рази швидше і будуть споживати на 85 відсотків менше енергії, ніж процесори на безе поточних транзисторів finfet. Смартфони з процесорами та іншими чіпами на базі нових транзисторів зможуть працювати мінімум тиждень на одному заряді акумуляторних батарей, а такі завдання, як майнінг криптовалюта або суперкомп’ютерні обчислення стануть менш енергоємними і будуть надавати менший вплив на навколишнє середовище.
Представники компаній ibm і samsung поки ще не озвучили плани і терміни комерціалізації їх нової розробки. Але можна припустити, що цей процес не буде затягнутий надовго, адже в світі є й інші компанії, які намагаються переступити 1-нанометровий технологічний бар’єр. Наприклад, ще в липні цього року представники intel оголосили про намір розробки і створення перших чіпів масштабу ангстрема до 2024 року. І досягти цього рубежу вони збираються за допомогою нової архітектури обчислювального вузла під назвою “intel 20a” і транзисторів ribbonfet.
ключові слова: ibm, samsung, транзистор, vtfet, конструкція, струм, вертикальний, процес, виробництво, ефективність
першоджерело
інші новини по темі:
Компанія ibm представила перші в світі чіпи, виготовлені по 2-нм технолог …
Компанія samsung починає випуск чіпів на базі 10-нм технології finfet втор …
Нова 5-нм технологія компанії ibm дозволить упакувати 30 мільярдів транзис …
Прогноз intel-перехід до 5-нм технологій дозволить закону гордона мура про …
Нові 22 нм. 3d-транзистори компанії intel забезпечать виконання закону гордий …
